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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:SI2309
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-1.6A
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.345 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-3
功率PD(W):1.7
输入电容Ciss(PF):210 typ.
通道极性:p沟道
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):35 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-60V,-1.6A P-沟道增强型场效应晶体管